Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

Gesamtnote
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Gesamtnote
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB

Unterschiede

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 16.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 104
    Rund um -333% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.9 left arrow 2,404.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 6400
    Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    104 left arrow 24
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,192.0 left arrow 16.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,404.5 left arrow 8.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    786 left arrow 2821
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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