RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
104
Rund um -333% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
8.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2821
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link