RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
104
En -333% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2821
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link