RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
47
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
37
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2971
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link