RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3079
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link