RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
47
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
13.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2358
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link