RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Kingston 9965662-019.A00G 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.4
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
47
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
9.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2175
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link