RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
73
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.0
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
42
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
13.9
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2034
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link