Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

47 59

Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения

10.4 9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.8 7.6

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 59
Скорость чтения, Гб/сек

10.4 9.0
Скорость записи, Гб/сек

7.8 7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2169 2128

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB

Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB

модули RAM