RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
61
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
61
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2113
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link