Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB

Средняя оценка

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

46 51

Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения

11.3 9.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.8 8.1

Среднее значение в тестах

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 14900

Около 1.14 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 51
Скорость чтения, Гб/сек

11.3 9.9
Скорость записи, Гб/сек

8.8 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 17000

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2365 2314

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB

Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB

Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB

модули RAM

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

модули RAM