RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
33
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
2931
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link