RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    33 left arrow 35
    Около 6% меньшая задержка
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.8 left arrow 8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.7 left arrow 7.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    33 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.0 left arrow 16.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.3 left arrow 13.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1911 left arrow 3306

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM

Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
модули RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
модули RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
модули RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
модули RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
модули RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
модули RAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
модули RAM