RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
35
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.5
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
35
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
10.5
Скорость записи, Гб/сек
7.3
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
1998
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link