Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 33

Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.6 8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.3 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 28
Скорость чтения, Гб/сек

8.0 17.6
Скорость записи, Гб/сек

7.3 13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1911 3446

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB

Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB

Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB

Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Kingston 9905663-006.A00G 16GB

Kingston 9905663-006.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666

модули RAM