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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
差异
规格
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Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
8.0
17.6
写入速度,GB/s
7.3
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3446
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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