RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
36
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
36
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
13.3
Скорость записи, Гб/сек
7.3
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
2358
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link