Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 38

Около 13% меньшая задержка

G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.5 8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.8 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 38
Скорость чтения, Гб/сек

8.0 13.5
Скорость записи, Гб/сек

7.3 8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1911 2267

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB

Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB

Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB

Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB

Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Kingston 9905663-008.A00G 16GB

Kingston 9905663-008.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

модули RAM