RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
46
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
11.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
2396
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link