RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 16.6
    Среднее значение в тестах
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 71
    Около -209% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    8.9 left arrow 1,322.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 5300
    Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    71 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,831.6 left arrow 16.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,322.6 left arrow 8.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    399 left arrow 2631

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Сравнения RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
модули RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
модули RAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
модули RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
модули RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
модули RAM