RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
71
Por volta de -209% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
23
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
8.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2631
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link