RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
27
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
13.3
Скорость записи, Гб/сек
7.3
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
2439
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link