RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
54
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2688
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link