RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
54
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
19.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3784
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston HP698650-154-KEB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link