Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Средняя оценка

Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 54

Около -116% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.5 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.9 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 25
Скорость чтения, Гб/сек

9.2 18.5
Скорость записи, Гб/сек

8.1 14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2105 3593

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Kingston 9905712-008.A00G 16GB

Kingston 9905712-008.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB

King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9965604-001.D00G 16GB

Kingston 9965604-001.D00G 16GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

модули RAM

Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM