RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
54
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
17.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3755
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link