RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
54
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3273
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link