RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
54
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
20.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3559
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link