RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
54
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2408
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link