RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
54
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
32
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2935
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link