RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
54
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2628
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link