RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
54
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
13.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2731
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link