RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
54
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
34
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2659
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link