RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
54
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2942
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link