RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3010
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link