Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 54

Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.4 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.5 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 38
Скорость чтения, Гб/сек

9.2 14.4
Скорость записи, Гб/сек

8.1 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2105 2856

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston 9905678-012.A00G 8GB

Kingston 9905678-012.A00G 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB

Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400

модули RAM