RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
54
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
48
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
12.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3061
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link