RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
54
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
18.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3657
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link