RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
54
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
20.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3738
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link