RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
54
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
18
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
20.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3431
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link