RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
54
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
41
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3073
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link