RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
77
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.1
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
77
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
13.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
1440
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link