RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
54
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2354
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link