RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
54
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2687
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link