RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
54
Около -116% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
25
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2542
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link