RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
54
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
14.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2560
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link