RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Kingston XRMWRN-HYA 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
54
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
33
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2962
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link