Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 54

Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.2 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.4 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 38
Скорость чтения, Гб/сек

9.2 15.2
Скорость записи, Гб/сек

8.1 11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2105 2821

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N

модули RAM

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB

модули RAM

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

модули RAM