RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
54
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
43
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2864
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link