RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
54
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
3045
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link