Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Средняя оценка

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 54

Около -93% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.1 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 28
Скорость чтения, Гб/сек

9.2 12.0
Скорость записи, Гб/сек

8.1 9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2105 2347

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Super Talent F24EA8GS 8GB

Super Talent F24EA8GS 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

модули RAM